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IGBT功率模塊

發(fā)布時間:2019-09-24
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊。
 
由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。
 
igbt是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻應(yīng)用中,單個元件電壓可達4.okv(pt結(jié)構(gòu))一6.5kv(npt結(jié)構(gòu)),電流可達1.5ka,是較為理想的功率模塊。
 

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